モニターアンプの設計メモ

さて迷っている。
最終段をMOS-FETをドライバー段に使用したバイポーラ
とするか、それともMOS-FETにするかである。
MOS-FETならばエンハンスメント特性であるから温度補償
の必要はないが、バイポーラトランジスタならばどうしても
温度補償が必要になってしまう。
温度補償の素子には何が良いか。
サーミスタかトランジスタかダイオードか？
ゲルマ世代の私は、温度補償というとすぐにサーミスタを
思い浮かべるが、バイアス回路がトランジスタで構成され
るなら、必然的にトランジスタになる。
勿論、市販品でも過去の製作例でもトランジスタで行って
いるので十分であろうと考えられる。
長く使うためには、やはり慎重に吟味したい。
特に用いる素子は、MOS-FETとしては既にディスコンにな
っているものであるから、出来るだけ飛ばしたくない。
ここが真空管と異なるところだ（と言っても、実は以前、
今となっては貴重な６５５０Ａを誤ってゼロバイアスにし
て吹っ飛ばしたことがある）。
保護回路も万全にしたい。
しばらく迷うことを楽しんでみよう。