モニターアンプの設計メモ

出力段

放熱器の計算

\Large P{\tiny{O}}=\frac{\large {V{\tiny cc}}^{\tiny 2}}{\large 2R {\tiny L}}
より、電源電圧が26Vの時、42.25Wの出力に相当する状態であ
ることからドレイン損失\Large P{\tiny{D}
\Large P{\tiny{D}=\Large {0.3*42.25=12.675(W)}
である。
これにA級動作域の損失を加えると15.54838〜18.42176
となる。
ここで、チャンネル(ジャンクション)温度の最高値が150℃で、
許容損失100WのMOS−FETを50℃で使用したときに必要な
放熱器の熱抵抗は、4.2〜3.2℃/Wと算出できる。
これは1石あたりである。
従って、\Large {3^{\tiny 5}}\Large {5^{\tiny 5}}mm^{\tiny 3}の包絡体積を持つ放熱器を使用する。