さて迷っている。 最終段をMOS-FETをドライバー段に使用したバイポーラ とするか、それともMOS-FETにするかである。 MOS-FETならばエンハンスメント特性であるから温度補償 の必要はないが、バイポーラトランジスタならばどうしても 温度補償が必要になって…